二、上游分析
1.碳化硅襯底材料
碳化硅襯底是一種由碳和硅兩種元素組成的化合物半導(dǎo)體單晶材料，具備禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強(qiáng)高、電子飽和漂移速率高等特點(diǎn)。根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域不同，可分類為導(dǎo)電型和半絕緣型。
在半絕緣型碳化硅襯底方面，2020年全球半絕緣型碳化硅襯底市場集中度較高，美國的Wolfspeed、II-IV以及國內(nèi)山東天岳三家獨(dú)大，占比合計(jì)高達(dá)98%。
數(shù)據(jù)來源：Yole，Wolfspeed，勢銀（TrendBank）、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
在導(dǎo)電型碳化硅襯底方面，2020年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底美國的Wolfspeed一家獨(dú)大，市占率高達(dá)62%，II-VI、SiCrystal、SKSiltron、天科合達(dá)等企業(yè)瓜分剩余市場。
數(shù)據(jù)來源：Yole，Wolfspeed，勢銀（TrendBank）、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
2.外延材料
碳化硅外延片，是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。在器件制備方面，由于材料的特殊性，器件過程的加工和硅不同的是，采用了高溫的工藝，包括高溫離子注入、高溫氧化以及高溫退火工藝。通常用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法制造，根據(jù)不同的摻雜類型，分為n型、p型外延片。
3.重點(diǎn)企業(yè)分析
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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