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中商情報(bào)網(wǎng)訊：近年來，碳化硅晶片作為襯底材料的應(yīng)用逐步成熟并進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，以碳化硅晶片為襯底，通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。其中，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進(jìn)一步制成功率器件，應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。

以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)率以及抗輻射等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優(yōu)越的電氣性能，具體如下：

資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

正是由于碳化硅器件具備的上述優(yōu)越性能，可以滿足電力電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡劣工作條件的新要求，從而成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最具前景的材料之一。

碳化硅功率器件定位于1KW-500KW之間，工作頻率在10KHz-100MHz之間的場(chǎng)景，特別適用于對(duì)于能量效率和空間尺寸要求較高的應(yīng)用，如電動(dòng)汽車充電機(jī)、充電樁、光伏逆變器、高鐵、智能電網(wǎng)、工業(yè)級(jí)電源等領(lǐng)域，可逐漸取代硅基MOSFET和IGBT。

資料來源：國(guó)泰君安、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年全球主流傳統(tǒng)車企的新能源汽車滲透率平均已接近2%，相比2017年提升1個(gè)百分點(diǎn)。為了達(dá)到各整車企業(yè)新能源汽車戰(zhàn)略，即2025年新能源汽車平均滲透率達(dá)到10%-15%左右，

數(shù)據(jù)顯示，全球新能源乘用車銷量由2015年的41.9萬輛增長(zhǎng)至2018年的184.1萬輛，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為64%。全球新能源汽車滲透率達(dá)到2.1%，累計(jì)銷量已突破550萬輛。根據(jù)數(shù)據(jù)，2019年全球新能源乘用車銷量為221萬輛，滲透率上升至2.5%。隨著全球各國(guó)政策驅(qū)動(dòng)、行業(yè)技術(shù)進(jìn)步、配套設(shè)施改善以及市場(chǎng)認(rèn)可度提高，新能源汽車銷量將持續(xù)保持良好的發(fā)展態(tài)勢(shì)。預(yù)計(jì)到2025年，全球新能源乘用車銷量將達(dá)到1150萬輛，相較于2019年年均復(fù)合增長(zhǎng)率為32%。

數(shù)據(jù)來源：GGII、EVSales、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

更多資料請(qǐng)參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)前景及投資機(jī)會(huì)研究報(bào)告》，同時(shí)中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報(bào)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、十四五規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商引資等服務(wù)。