二、產業(yè)鏈上游
碳化硅在半導體器件領域中是第三代半導體材料代表之一，從碳化硅器件的制造成本結構來看，襯底成本最大，占比達47%；其次是外延成本，占比為23%。這兩大工序是SiC器件的重要組成部分。
數(shù)據(jù)來源：中商產業(yè)研究院整理
1.碳化硅襯底
碳化硅襯底是一種由碳和硅兩種元素組成的化合物半導體單晶材料，具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點。根據(jù)下游應用領域不同，可分類為導電型和半絕緣型。
在半絕緣型碳化硅襯底方面，2020年全球半絕緣型碳化硅襯底市場集中度較高，美國的Wolfspeed、II-IV以及國內山東天岳三家獨大，占比合計高達98%。
數(shù)據(jù)來源：Yole，Wolfspeed，勢銀（TrendBank）、中商產業(yè)研究院整理
在導電型碳化硅襯底方面，2020年全球導電型碳化硅襯底美國的Wolfspeed一家獨大，市占率高達62%，II-VI、SiCrystal、SKSiltron、天科合達等等企業(yè)瓜分剩余市場。
數(shù)據(jù)來源：Yole，Wolfspeed，勢銀（TrendBank）、中商產業(yè)研究院整理
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