【導讀】

【報告描述】：

研究領域：電源管理IC 、MOSFET、IGBT
涉及廠商：Fairchild、ST、IR、On Semiconductor、TI等等
報告推薦
在經歷了2010年半導體功率器件市場的快速上漲以后，隨著全球經濟增長的不確定性以及日本311大地震的影響，2011年半導體功率器件市場增長趨緩，全球市場增速在4%左右，而中國市場的增速在10%左右。分領域來看，汽車電子領域依然是增速最快的領域，而筆記本、手機等產品產量的大幅增長則帶動了計算機領域、網(wǎng)絡通信等領域功率器件市場的發(fā)展。從競爭格局上看，歐美廠商依舊占據(jù)中國功率器件市場競爭優(yōu)勢地位，MOSFET而言，飛兆、威世、英飛凌、IR仍處于領先地位，此外，中國臺灣企業(yè)和韓國企業(yè)也占有一定的市場份額。未來幾年，中國功率器件市場將保持在平穩(wěn)增長，市場增速將保持在10%左右。
為了全面而準確的反映中國功率器件市場地發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢，公司推出《2011-2012年中國半導體功率器件市場研究年度報告》，將幫助業(yè)界廠商、投資者和相關政府機構更準確地把握中國功率器件市場的發(fā)展規(guī)律。
& 深入、翔實的市場研究數(shù)據(jù)?；趯π袠I(yè)產品的深度研究，提供對產品結構、應用結構等多個角度的市場數(shù)據(jù)，明晰市場發(fā)展方向。
& 全面、深刻的品牌競爭分析。公司從市場格局、競爭策略、SWOT分析等多個維度分析企業(yè)，評點市場領先要素。
& 科學、完整的未來發(fā)展預測。建立在各重點細分市場上的建模校驗，并與相關產業(yè)環(huán)節(jié)進行關聯(lián)分析，確保給出有價值的趨勢分析與定量預測結果。

本報告全面總結了2011年中國半導體功率器件市場的發(fā)展狀況，全面分析了其推進因素和市場特點，并對主要廠商進行了客觀綜合的評價，通過大量的調研訪談和詳實準確的數(shù)據(jù)支撐，為客戶提供完整的中國功率器件市場信息，為企業(yè)提供有效的決策參考，報告主要為客戶提供了以下方面的內容。
& 目前國內功率器件市場規(guī)模及特點
& 按產品細分的功率器件市場情況
& 按應用領域細分的功率器件市場情況
& 主要廠商分析
& 未來各個細分市場的預測

報告框架
目錄
研究對象
主要結論
重要發(fā)現(xiàn)
一、2011年全球半導體功率器件市場概述
(一) 市場規(guī)模與增長
(二) 基本特點
(三) 主要國家與地區(qū)
1、美國
2、歐洲
3、日本
二、2011年中國半導體功率器件市場概述
(一) 市場規(guī)模與增長
(二) 基本特點
(三) 市場結構分析
1、產品結構
2、應用結構
三、2012-2014年中國半導體功率器件市場發(fā)展預測
(一) 2012-2014年中國半導體功率器件市場規(guī)模預測
(二) 2012-2014年中國半導體功率器件市場結構預測
1、產品結構
2、應用結構
四、2012-2014年中國半導體功率器件市場趨勢分析
(一) 市場發(fā)展趨勢
(二) 產品技術趨勢
(三) 產品價格趨勢
五、2011年中國半導體功率器件市場細分產品研究
(一) MOSFET
(二) IGBT
(三) 電源管理IC
六、中國半導體功率器件市場競爭力分析
(一) 整體競爭格局
(二) 重點廠商競爭策略與SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、Vishay
4、……
七、公司建議

表目錄
2007-2011年中國半導體功率器件市場規(guī)模
2011年中國半導體功率器件市場結構
2011年中國半導體功率器件市場應用結構
2011年中國MOSFET市場規(guī)模
2011年中國MOSFET市場應用結構
2011年中國MOSFET市場電壓結構
……

圖目錄
2007-2011年全球半導體功率器件市場規(guī)模
2011年中國半導體功率器件市場品牌結構
2011年中國MOSFET市場品牌結構
2011年中國IGBT市場品牌結構
……