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4.DRAM

（1）全球市場規(guī)模

DRAM是動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM的特征是讀寫速度快、延遲低，但掉電后數(shù)據(jù)會丟失，常用于計算系統(tǒng)的運行內(nèi)存。DRAM市場空間巨大，為半導(dǎo)體存儲器第一大產(chǎn)品。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國DRAM存儲器行業(yè)市場前景預(yù)測及未來發(fā)展趨勢研究報告》顯示，受到存儲芯片整體減產(chǎn)的影響，2023年全球DRAM市場規(guī)模達到505.3億美元，同比下降36.12%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，由于2024年全球存儲渠道行情整體向上，市場需求大幅提升，DRAM市場規(guī)模將增至780億美元。

數(shù)據(jù)來源：CFM閃存、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

（2）競爭格局

目前，DRAM存儲器市場份額高度集中，主要被三星、SK海力士和美光三者壟斷，2023年三家企業(yè)市場份額分別為41.4%、31.7%和22.9%，競爭格局穩(wěn)定。南亞科技和華邦電子占比分別為1.9%和0.9%。國內(nèi)DRAM廠商主要有兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份、長鑫存儲、紫光國微、福建晉華等企業(yè)。

數(shù)據(jù)來源：CFM閃存、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

5.NAND FLASH

（1）全球市場規(guī)模

NANDFLASH存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2017-2027全球及中國NAND閃存控制器行業(yè)深度研究報告》顯示，雖然NANDFlash平均價格在四季度明顯改善，帶動各原廠四季度收入增長，但2023年全球NANDFLASH市場規(guī)模仍然呈現(xiàn)397.6億美元，同比下降33.88%。2024年P(guān)C廠商、智能手機市場將迎來復(fù)蘇，帶動全球NANDFLASH市場規(guī)模增長，中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2024年全球NAND FLASH市場規(guī)模將達656.1億美元。

數(shù)據(jù)來源：CFM閃存、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

（2）競爭格局

NAND Flash全球市場高度集中，2023年前三企業(yè)分別為三星、SK海力士、鎧俠，市場份額合計達69.1%，市場份額分別為32.7%、18.4%、18.0%。西部數(shù)據(jù)和美光市場份額分別為14.9%、10.8%。

數(shù)據(jù)來源：CFM閃存、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理