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內(nèi)容概括

砷化鎵（gallium arsenide）是一種重要的半導(dǎo)體材料，化學(xué)式GaAs，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵材料的應(yīng)用領(lǐng)域主要分為微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域。而生產(chǎn)GaAs的原材料主要有Ga（鎵）、As（砷）、Al2O3（氧化鋁）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（鎵）是最為可貴的原材料。砷化鎵廣泛運(yùn)用于高頻及無(wú)線通訊(主要為超過(guò)1G Hz以上的頻率)，適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應(yīng)用于激光器、無(wú)線通信、光纖通信、移動(dòng)通信、GPS全球?qū)Ш降阮I(lǐng)域。砷化鎵除在IC產(chǎn)品應(yīng)用以外，也可加入其它元素改變能帶隙及其產(chǎn)生光電反應(yīng)，達(dá)到所對(duì)應(yīng)的光波波長(zhǎng)，制作成光電元件。砷化鎵元件是無(wú)線通訊產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵性零組件之一，隨著通訊產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，通訊元件輕、薄、短、小的趨勢(shì)下，近幾年來(lái)已成為手機(jī)及無(wú)線區(qū)域網(wǎng)路不可或缺的重要關(guān)鍵元件。雖然全球智慧型手機(jī)年出貨量已進(jìn)入低度成長(zhǎng)，但隨著VCSEL的應(yīng)用導(dǎo)入手機(jī)及5G世代的開(kāi)啟，砷化鎵元件的用量比起以前將有增無(wú)減，同時(shí)超高頻通訊的普及以及光通訊應(yīng)用的崛起對(duì)于砷化鎵元件都有強(qiáng)勁的需求。根據(jù)Strategy Analytics的研究報(bào)告，2018年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)(含IDM廠商之組件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為88.7億美元，達(dá)到歷史新高，相比2017年的88.3億美元同比增長(zhǎng)0.45%。根據(jù)Yole預(yù)計(jì)，2024-2029年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)速度為10%，其中微電子領(lǐng)域?yàn)镃AGR為3%，光電子領(lǐng)域CAGR為54%。到2024年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到157.1億美元。目前，中國(guó)作為電子信息制造業(yè)大國(guó)，下游應(yīng)用市場(chǎng)廣闊。隨著我國(guó)光電通信等行業(yè)繼續(xù)大力發(fā)展。GaAs行業(yè)的市場(chǎng)需求潛力依然較大，未來(lái)中國(guó)砷化鎵市場(chǎng)占全球比重也將不斷增加。

報(bào)告目錄

第一章 GaAs簡(jiǎn)介

第一節(jié) GaAs簡(jiǎn)介

一、GaAs定義
二、GaAs的優(yōu)點(diǎn)
三、GaAs的安全性

第二節(jié) GaAs的應(yīng)用

第三節(jié) GaAs、GaN、SiGe對(duì)比

一、GaN（氮化鎵）
二、SiGe（鍺硅合金）
三、GaAs材料與硅材料相比

第四節(jié) GaAs材料的制造工藝

一、水平布里奇曼法HB
（一）HB法工藝流程
（二）HB法的優(yōu)缺點(diǎn)
二、液封直拉法LEC
（一）LEC法工藝流程
（二）LEC法的優(yōu)缺點(diǎn)
（三）LEC法的幾個(gè)問(wèn)題
（四）LEC技術(shù)改進(jìn)—蒸氣控制直拉技術(shù)（VCZ）
三、VGF和VB法
四、GaAs晶體的加工及外延片的制備

第二章 GaAs產(chǎn)業(yè)

第一節(jié) GaAs產(chǎn)業(yè)鏈

一、GaAs產(chǎn)業(yè)鏈模型概述
二、上游鎵原料供應(yīng)分析
（一）金屬鎵的資源分布狀況
（二）鎵金屬產(chǎn)能/產(chǎn)量
三、下游應(yīng)用需求領(lǐng)域分析

第二節(jié) 全球GaAs供需概況

第三節(jié) 中國(guó)GaAs供需分析

一、GaAs產(chǎn)量分析
二、GaAs需求分析
三、GaAs市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)

第四節(jié) 全球主要GaAs廠家

第三章 GaAs下游市場(chǎng)

第一節(jié) 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備市場(chǎng)

第二節(jié) 全球手機(jī)市場(chǎng)規(guī)模

一、全球手機(jī)銷售量統(tǒng)計(jì)
二、全球手機(jī)出貨量統(tǒng)計(jì)

第三節(jié) 手機(jī)品牌市場(chǎng)占有率

一、全球主要品牌市場(chǎng)份額
二、中國(guó)主要品牌市場(chǎng)份額

第四節(jié) 智能手機(jī)市場(chǎng)與產(chǎn)業(yè)

第五節(jié) 中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)發(fā)展綜述

一、中國(guó)手機(jī)行業(yè)的發(fā)展概況
二、中國(guó)手機(jī)行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀
三、中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)出貨量情況
四、中國(guó)4G手機(jī)出貨量情況
五、中國(guó)5G手機(jī)出貨量情況
六、中國(guó)手機(jī)產(chǎn)銷量情況分析

第六節(jié) 中國(guó)手機(jī)用戶規(guī)模分析

第七節(jié) 中國(guó)手機(jī)出口規(guī)模

一、出口數(shù)量情況
二、出口金額情況

第八節(jié) 中國(guó)手機(jī)出口地域分布

第九節(jié) 中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)價(jià)格分析

一、中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)分析
二、中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)價(jià)格影響因素

第四章無(wú)線射頻系統(tǒng)前端分析

第一節(jié) 射頻同軸連接器（RF系統(tǒng)）

一、RF連接器簡(jiǎn)介
二、RF連接器的技術(shù)要求
三、RF連接器的基本結(jié)構(gòu)
四、RF連接器的連接機(jī)構(gòu)

第二節(jié) 手機(jī)射頻前端模塊（FEM）

第三節(jié) 手機(jī)濾波器

一、手機(jī)濾波器簡(jiǎn)介
二、FBAR技術(shù)與4G/LTE
三、FBAR技術(shù)優(yōu)勢(shì)

第四節(jié) TDK-EPC公司

第五節(jié) 手機(jī)天線開(kāi)關(guān)

一、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
二、產(chǎn)品原理
三、產(chǎn)品特性

第六節(jié) 手機(jī)PA

第七節(jié)“砷化鎵”P(pán)A企業(yè)受到挑戰(zhàn)

第五章 GaAs行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)分析

第一節(jié) 成都海威華芯科技有限公司

一、企業(yè)發(fā)展基本情況
二、企業(yè)主要產(chǎn)品分析
三、企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
四、企業(yè)銷售網(wǎng)絡(luò)布局
五、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析

第二節(jié) 三安光電股份有限公司

第三節(jié) 廈門乾照光電股份有限公司

第四節(jié) 云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

第五節(jié) 有研新材料股份有限公司

第六節(jié) 北京通美晶體技術(shù)有限公司

第七節(jié) 中科晶電信息材料（北京）股份有限公司

第八節(jié) 北京中科鎵英半導(dǎo)體有限公司

第九節(jié) 新鄉(xiāng)市神舟晶體科技發(fā)展有限公司

第十節(jié) 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司

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